SPC｜為半導體製程零組件打造的耐電漿厚膜蒸鍍平台

為半導體製程零組件量身打造的耐電漿鍍膜設備

半導體製造的關鍵製程 —— 蝕刻（Etching）、化學氣相沉積（CVD）、電漿清洗 —— 都需在腔體內產生高能量、高反應性的電漿環境。長期暴露於電漿中的腔體零組件（Edge Ring、Shower Head、Cover Plate、Liner 等），會因電漿轟擊而逐漸侵蝕，釋放出粒子污染晶圓、降低製程穩定性，並縮短零組件壽命。

為延長關鍵零組件的使用壽命、提升半導體 Fab 的製程穩定性與良率，採用稀土氧化物（以 Y₂O₃ 氧化釔為主）的耐電漿厚膜鍍層已成為業界主流方案。大永真空 SPC 半導體耐蝕刻蒸鍍機（Semiconductor Plasma-resistant Coater）是專為此一應用所優化的鍍膜設備，提供穩定可靠的稀土氧化物厚膜量產能力，服務半導體設備廠、零組件製造廠與 Fab 內 maintenance 服務商。

Y₂O₃ 厚膜能力｜10~50 微米連續沉積不容妥協

耐電漿鍍層的核心是稀土氧化物（Y₂O₃、YAG、YF₃ 等）的厚膜沉積，業界標準膜厚通常落在 10~50 微米區間，某些極端應用甚至需要 100 微米以上。傳統蒸鍍設備在沉積如此厚的膜層時，常面臨膜層應力累積、微裂紋、內部氣孔、附著力下降等技術挑戰。

SPC 採用大尺寸坩堝設計與優化的蒸發速率控制，可在不停機的條件下完成 10~50 微米連續厚膜沉積。搭配大永自製高效能離子源的高能量輔助模式，Y₂O₃ 等稀土氧化物薄膜可達 95% 以上的理論密度，氣孔率控制在 1% 以內。如此高緻密的膜層結構，即使長期暴露於 CF₄、SF₆、Cl₂ 等強腐蝕電漿環境，仍能維持優異的耐侵蝕表現，顯著延長零組件壽命。

Fab 級潔淨度設計｜滿足半導體最嚴苛粒子標準

半導體製程對粒子污染的容忍度極低，任何來自設備本身的粒子污染都將直接影響晶圓良率。SPC 從機台設計階段就以 Fab 級潔淨度為目標 —— 腔體採用低粒子釋放材質、內部空間維持 Class 1000 等級潔淨度、所有與工件接觸的部件均經過嚴格的清潔與檢驗流程。

此外，SPC 可選配 ISO 5（Class 100）等級的進出料區，搭配 Fab 級的工件清潔程序，確保鍍後零組件可直接送入 Fab 使用，無需額外二次清潔。對於 7nm 以下先進製程，SPC 提供業界領先的污染控制能力。

整合大永核心技術｜穩定高良率厚膜量產

SPC 雖以厚膜為主訴求，但仍保留大永光學蒸鍍系列核心技術：OMS 光學監控系統可即時掌握厚膜沉積進程、FAST 鍍膜均勻性模擬程式可優化複雜形狀零組件鍍膜均勻性、行星式公自轉治具可確保大批量量產批次一致性。

SPC 提供 1350、1550、1800 多種腔體尺寸，可依零組件規模彈性配置，從研發試樣到大型 Edge Ring、12 吋 Shower Head 等應用皆可對應，提供 Fab 認證等級厚膜量產設備。