【什麼是電漿輔助化學氣相沉積？】

• 電漿輔助化學氣相沉積原理

電漿輔助化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）是一種常見的薄膜沉積技術，其原理是在真空環境中導入反應氣體，並透過高頻電場產生電漿，將氣體激發成包含高能自由基、離子與電子的狀態。這些活性粒子與基板表面反應，進而形成薄膜。由於反應所需能量主要來自電漿而非高溫加熱，因此可在相對較低的溫度下進行沉積，適用於對熱較為敏感的材料。

• 電漿輔助化學氣相沉積特色

• 低溫製程：可在相對低溫條件下進行沉積，適合熱敏感材料與元件。
• 較高的沉積速率：比傳統CVD沉積速度更快。
• 薄膜覆蓋性佳：能實現優異的側壁與微結構覆蓋，適用於高階微結構應用。
• 靈活調整薄膜性質與結構：可透過調整製程參數（如功率、氣體比例、壓力等）精準控制膜層特性。
• 可製備多元化合物薄膜：SiN, SiO₂等。
• 應用領域廣泛：適用於各類功能性膜層製備，如防護膜、電介質膜、絕緣層等。