• ALD薄膜沉積技術展現卓越緻密均勻性與覆蓋性

大永真空ALD（Atomic Layer Deposition, ALD）原子層沉積系統是一種高精度、低溫、均勻性極佳的薄膜沉積技術，適用於半導體、光學元件、生醫與先進封裝應用。ALD透過自限制反應（Self-limiting Reaction），在原子層級別精確控制膜厚，確保極致的成膜均勻性與覆蓋率，即使在高深寬比結構或自由曲面基板上，也能實現卓越的緻密均勻性與完整覆蓋。無論是絕緣層、高精度光學元件、奈米結構應用或是防潮與耐蝕保護層，ALD皆能提供穩定可靠的解決方案，滿足產業應用的嚴苛需求。

• 熱式ALD & 電漿輔助ALD技術靈活選擇製程模式

大永真空ALD原子層沉積系統採用熱式ALD（Thermal ALD）與電漿輔助ALD（PE-ALD）技術，可根據材料特性與應用需求靈活選擇製程模式。設備具備高精度質量流量控制（MFC）、脈衝閥（Pulse Valve）、等離子源（ICP）等先進設計，確保反應氣體穩定輸送與最佳化成膜條件。ALD低溫沉積特性使其可應用於聚合物、OLED、MEMS、Micro-LED等溫度敏感基材，擴展更多先進製造的可能性。我們的設備可支援多種前驅物組合，實現Al₂O₃、HfO₂、TiO₂、SiO₂等高品質薄膜沉積，提升產品性能與可靠性。

• 生產管理系統無縫連接 & 客製化解決方案

大永真空ALD原子層沉積系統整合SECS/GEM通訊協議，確保與半導體生產管理系統無縫連接，實現製程控制與數據記錄。此外，設備配備高精度溫控系統與智能故障診斷功能，可提高產線良率與穩定性。我們提供模組化設計與客製化解決方案，滿足不同生產需求，無論是小量試產或大規模量產，皆可提供最適合的ALD設備選擇，協助客戶在高精度薄膜技術領域保持領先優勢。

• 高均勻性與完整覆蓋
• 高密度與低粗糙度薄膜
• 低溫製程，適用於溫度敏感材料
• 可精準控制折射率與膜厚
• 多功能應用，適用於各類產業應用鍍膜