高性能碳化矽鍍膜技術 ｜厚膜、高沉積率、抗電漿蝕刻

• 運用物理氣相沉積（PVD）中空陰極濺鍍技術，鍍製高品質碳化矽薄膜。相較於傳統 PVD 製程（如蒸鍍、電弧鍍等），本技術具備鍍膜速率快（>10 µm/hr）、塗層厚度高（>150 µm）的優勢，能大幅提升製程效率與塗層耐用性。

薄膜特性

• 結構：非晶碳化矽
• 優異的耐電漿蝕刻性能：特別適用於半導體蝕刻製程中使用，提升關鍵零件壽命
• 電漿蝕刻測試：

• SF₆ + Cl₂ 氣氛蝕刻深度差異：1.15 μm（SiC） vs. 11.85 μm（Si）
• CF₄ + O₂ 氣氛蝕刻深度差異：3.25 μm（SiC） vs. 14.50 μm（Si）
• CF₄ + Ar 氣氛蝕刻深度差異：0.40 μm（SiC） vs. 0.65 μm（Si）

可鍍基材

• 矽（Silicon, Si）
• 石墨 (Graphite)
• 碳化矽（Silicon Carbide, SiC）

應用

• 半導體蝕刻零組件：如聚焦環（Focus ring）、擋片（Dummy wafer）等關鍵耗材