類鑽石(DLC)膜的基本介紹、應用及發展趨勢

碳材料的分類

碳是自然界中豐富的元素之一,鑽石(Diamond)、石墨(Graphite)、石墨烯(Graphene)、奈米碳管(Carbon Nanotube)、C60 (Buckyballs)皆為元素碳的同素異形體(Allotropes)。類鑽石(Diamond-like Carbon,DLC)是一種非晶形的碳材料,其諸多的材料性質類似於鑽石,例如高硬度、耐磨耗、低摩擦係數,因而得名為類鑽石。

  1. 鑽石:由sp3鍵結碳所構成,碳原子間為單鍵,是自然界中最硬的材料(硬度可達100 GPa)。
  2. 石墨:由單原子層石墨片一層一層堆疊起來的,每一層石墨片是sp2鍵結碳所構成,碳原子間為雙鍵,理論上硬度會比鑽石高(因為雙鍵的鍵能強度大於單鍵),但由於層與層之間只靠鍵能很弱的凡德瓦力吸引,因此硬度相當軟(硬度小於1 GPa)。
  3. 石墨烯:將單原子層石墨片取出來,即為石墨烯。
  4. 奈米碳管:可類比成將石墨片的捲曲起來,區分為單層奈米碳管、雙層奈米碳管、多層奈米碳管。
  5.  C60:由60個碳原子所構成的球體結構,直徑約0.71 nm。
  6. 類鑽石:主要是由高濃度sp3鍵結碳與sp2鍵結碳所構成,有時存在相當少量的sp1鍵結碳。又根據膜中氫含量的有無,可區分為:

  • 含氫類鑽石膜(Hydrogenated DLC,Hydrogenated Amorphous Carbon,a-C:H):膜中氫含量範圍約10~60 %,氫含量(氫原子終端基即為一種缺陷)愈少則薄膜硬度愈高,硬度範圍10~40 GPa。
  • 不含氫類鑽石膜(Non-hydrogenated DLC,Amorphous Carbon,a-C):由於膜中沒有氫原子終端基(Terminated Group)存在,硬度會比a-C:H高,硬度範圍40~80 GPa。


DLC薄膜的製作方法

鍍製DLC膜的常見方法有電漿增強化學氣相沉積法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、離子束輔助沉積法(Ion-beam Assisted Deposition,IBAD)、濺射沉積法(Sputtering Deposition)、磁過濾陰極電弧法(Filtered Cathodic Arc Deposition,FCAD)、脈衝雷射沉積法(Pulsed Laser Deposition,PLD)等。一般含氫DLC膜可藉由調控製程參數(例如基板偏壓、電漿密度)以控制膜中sp3鍵的比例,達到優異的機械性質,例如硬度可從10 GPa調控到40 GPa。


DLC薄膜的優點及應用

DLC膜擁有高硬度、低摩擦係數、高緻密度、耐磨耗、耐腐蝕性、高化學穩定性、生物相容性等特點,以及可於室溫下成長,因此廣泛應用於切削刀具塗層、鑽頭塗層、模造玻璃脫膜層、光碟模具、汽機車摩潤零件、裝飾鍍膜(如手錶外殼、手機外殼、太陽眼鏡)、阻隔包裝材料、醫用植入體材料、液晶配向膜、電阻式記憶體等。



DLC薄膜的技術限制

高壓縮應力(Compressive Stress)、熱穩定性不佳及缺乏韌性(Toughness),一直是DLC膜的三大缺點,限縮了DLC膜的應用範圍,針對這些缺點的解決策略如下:

  1. 過大的壓縮應力會使DLC膜容易產生剝落,導致DLC膜無法成長超到1μm的厚度,因此如何有效的降低應力一直是DLC膜的研究重點,通常藉由添加一些金屬元素(如Ti)、熱退火、軟硬交替的多層膜、或是加入奈米顆粒來達到應力釋放(Stress Relaxation)之效果。
  2. 含氫DLC最高使用溫度約350℃,不含氫DLC最高使用溫度約450 ℃,藉由摻雜一些金屬元素或非金屬元素使其成為合金化薄膜,可以有效改善DLC膜的熱穩定性。
  3. DLC膜是一種硬而脆的材料,由於DLC結構上為非晶形,缺乏彈性變形或塑性變形之變形機制,當施予外加應力到達一定力量時,隨即產生脆裂而剝落,這可藉由添加金屬元素使膜中產生奈米金屬顆粒或金屬碳化物顆粒、多層膜結構、或是梯度層設計來增加DLC膜的破裂韌性。

DLC薄膜的發展趨勢

現今,隨著新型薄膜製備工藝(例如:High-power Pulsed Magnetron Sputtering, HPPMS)與材料設計理論(例如:含富勒烯結構的類鑽石膜、含奈米顆粒的類鑽石複合薄膜)不斷地精進與發展,材料製作成本也有效地降低,並且壓縮應力、熱穩定性、摩潤性及韌性問題皆逐步改善中,使得DLC膜在工程的應用範圍亦逐步擴大。


各類DLC膜層特性

Type of Coating

Diamond Coatings

DLC a(C:H)

DLC a-C

DLC ta-C

Process

CVD

PECVD

PVD Sputter

PVD Arc

Sp3 Fraction

100

40 - 60

25 - 40

70 - 85

Temperature of deposition °C

850

200

200 - 400

< 200

Thickness µm

6-10

3

1

0.1 - 1

Density g cm-3

3.2 - 3.4

2.2 - 2.6

2.1 - 2.5

3.3 - 3.5

Max temperature resistance (°C)

600

300

300

< 300

Hardness GPa (Hardness HV 5g)

40 - 90

20 - 40

10 - 30

60 - 85

Adhesion kg mm-2

Optimal

Good

Good

Good

Biocompatibility

Optimal

Good

Good

Optimal

Eletric resistance µficm

1010 - 1015

> 1010

-

109


備註 引述大永真空-研發部