LED發展

50年前半導體材料可發射光線被拍攝，第一個衛星發射於1960年。的架子上，然後滲以橡膠密封，保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性良好。

發光半導體的核心部分是由p型半導體和n型半導體組成的芯片，在p型半導體和n型半導體之間有一個層次，pn結。在某些材料的半導體PN結中，注入的粒子載流子與大多數載流子復合時形成的能量以光的形式釋放出來，可以直接轉化為光能。利來注入式電致發光原理製作的耳機叫發光二極管，通稱LED。當它呈現出實時工作狀態時（即瞬間加上饋電電壓），電流從 LED 引流向尾時，半導體強就可以從紫外線到彩色的光，光線不同的弱與電流有關。

單色光LED的種類

納米應用半導體PN結髮光結構材料製成的LED光源問世於20世紀60年代初。當時所用的是GaAsP，發紅光（λ p =650nm），在驅動電流為20毫安時，發光效率約0.1 70歲流長，在和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp的日期元素=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。到了80歲初，出現了GaAlAs的LED光源，加上紅色LED的光效達到10流明/瓦。90歲初，發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、科考的GaInN兩種新材料的成功，使LED的光效得到了波長的提高。在2000年，開發開發的LED在紅、區橙（λ p =615nm）的光效達到100流明/瓦，而後成為的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

白光LED

對於照明來說，人們更需要白色的發光源。1998年白光的LED開發。這種LED是將GaN芯片和乾鋁石榴石（YAG）封裝起來。GaN芯片發（λp =465nm） ，Wd30nm），Ce3+附件的含Ce的YAG發光粉末受此微波激發後發射，最大為550nm。LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋有YAG的樹脂薄層，約200-500。LED基片發出的納米部分被麵粉吸收白色，另一部分與小麥粉發出的黃光混合，可以得到白光。現在，對於InGaN/YAGLED，通過改變YAG發光粉的化學組成和調節棉花粉層的厚度，可能色溫3500-10000K的各色白光。