一種碳矽化合物製備方法

專利證書號數：I860660

名　　　　　稱：一種碳矽化合物製備方法

[1]申請專利範圍

一種碳矽化合物製備方法，其步驟包含：提供一中空陰極單元，其包含二矽靶材平行置放於一遮罩內，並於二矽靶材間形成一狹縫，包含一狹縫入口與一狹縫出口；於一減壓環境下，施予一電漿電源功率於二該矽靶材，以激發出一中空陰極放電矽電漿；將一濺射氣體經由該狹縫入口通入，吹出該中空陰極放電矽電漿至該狹縫出口，以及將一碳氫氣體經由該狹縫出口附近通入；反應之該中空陰極放電矽電漿與該碳氫氣體生成一碳矽化合物薄膜，被吹出於一基材之至少部分或全部表面進行被覆；以及藉由該濺射氣體及/或碳氫氣體的流量變化控制該碳矽化合物薄膜成分之矽/碳莫爾比。
如請求項1 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該濺射氣體及/或該碳氫氣體的流量由一質量流量計進行控制。
如請求項1 或2 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該矽靶材包含單晶矽、多晶矽、非晶矽或前述之組合。
如請求項1 或2 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該濺射氣體包含惰性氣體。
如請求項4 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該惰性氣體包含氦氣、氬氣及氪氣。
如請求項1 或2 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該碳氫氣體包含甲烷、乙烷、乙烯、丙烯或乙炔。
如請求項1 或2 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該基材包含金屬或非金屬基材。
如請求項7 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該非金屬基材包含陶瓷或高分子。
如請求項1 或2 所述的碳矽化合物製備方法，其中：該碳矽化合物薄膜為矽與碳反應生成之化合物，分子式包含SixCy，其中：x、y 為任意常數，x/y 莫爾比包含任意常數。

[2]圖式簡單說明

為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些示例或實施例，並非絕對用以限定本發明的技術範圍。除非從前後文顯而易見或另做說明，圖中相同標號代表相同結構或操作。其中：
圖1 為本發明一種碳矽化合物製備方法的較佳實施例流程示意圖。
圖2a~2c 為本發明較佳實施例於不同乙炔流量(a) 20 sccm、(b) 30 sccm 及(c)50 sccm 下，所得該碳矽化合物薄膜之截面微觀形貌及其成分分布圖。
圖3 為本發明較佳實施例於製程時間16 小時下，所得該碳矽化合物薄膜之截面微觀形貌及其成分分布圖。
圖4a 為裸矽晶圓對比例於SiF 6 氣氛下，進行電漿蝕刻200 秒後之截面微觀形貌。
圖4b 為本發明較佳實施例於SiF 6 氣氛下，進行電漿蝕刻200 秒後之截面微觀形貌。
圖5a 為裸矽晶圓對比例於SiF 6 與Cl 2 氣氛下，進行電漿蝕刻200 秒後之截面微觀形貌。
圖5b 為本發明較佳實施例於SiF 6 與Cl 2 氣氛下，進行電漿蝕刻200 秒後之截面微觀形貌。