專 利 證 書 號 數：I541612

名　　　　　 稱：有機真空塗佈系統及薄膜形成方法

[1]申請專利範圍

1. 一種有機真空塗佈系統，包含有：一腔體(10)，具有一容室(11)可抽真空；一載台(20)，設於該腔體(10)的容室(11)，供裝設被鍍物；一蒸發源(30)，設於該腔體(10)的容室(11)；一有機單體供應裝置(40)，係對該蒸發源(30)噴射有機單體使蒸發到被鍍物上；一硬化裝置(50)，對該被鍍物成形的薄膜加以硬化。
2. 依據申請專利範圍第1項所述有機真空塗佈系統，其中該蒸發源(30)係設於該腔體(10)的容室(11)底部。
3. 依據申請專利範圍第2 項所述有機真空塗佈系統，其中該硬化裝置(50)係設於該腔體(10)的容室(11)環周。
4. 依據申請專利範圍第1 項所述有機真空塗佈系統，其中該硬化裝置(50)係設於該腔體(10)的容室(11)環周。
5. 一種使用如申請專利範圍第1 至4 項其中任何一項所述有機真空塗佈系統的薄膜形成方法，其中該腔體(10)的容室(11)抽真空使真空度界於在10-1torr~10-6torr 之間。
6. 一種如申請專利範圍第5 項所述薄膜形成方法，其中該蒸發源(30)的溫度設定在攝氏200~450 度之間。
7. 一種如申請專利範圍第5 項所述薄膜形成方法，其包含有成膜步驟及硬化步驟，並可重覆該成膜步驟及硬化步驟。
8. 一種使用如申請專利範圍第1 至4 項其中任何一項所述有機真空塗佈系統的薄膜形成方法，其中該蒸發源(30)的溫度設定在攝氏200~450 度之間。
9. 一種如申請專利範圍第8 項所述薄膜形成方法，其包含有成膜步驟及硬化步驟，並可重覆該成膜步驟及硬化步驟。
10. 一種使用如申請專利範圍第1 至4 項其中任何一項所述有機真空塗佈系統的薄膜形成方法，其包含有成膜步驟及硬化步驟，並可重覆該成膜步驟及硬化步驟。

• 第1 圖係本發明一較佳實施例的結構示意圖。
• 第2 圖係本發明薄膜形成方法之一流程圖。
• 第3 圖係本發明薄膜形成方法另一流程圖。

【第1圖】

【第2圖】

【第3圖】