陰極電弧沉積(Arc)

離子鍍膜製程原理於1963年由Mattox提出。從傳統離子鍍膜製程解離率0.1~1%、中空陰極放電式電漿離子鍍膜法(Hollow Cathode Discharge Plasma Ion Plating)提升解離率至>40~70%，陰極電弧離子鍍膜法(Cathodic Vacuum Arc)更是進一步將解離率達>40~90%。其整體製程透過陰極電弧(Cathodic Arc)將欲材料原子從靶源蒸發出來，經由靶源前方之高密度電漿區，將蒸發出來未解離的中性原子解離，經由外加於基材上之負偏壓的引導，使這些離子被吸引往基材沉積。

陰極電弧離子鍍膜，近年已有可穩定量產之複合類鑽碳膜層製程技術，膜層硬度達3,700 HV、厚度達3 μm、摩擦係數約為0.1；同時亦開發膜層厚度12 μm之複合耐蝕膜層製程技術。