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原子層沉積系統

型號 : DYALD

原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)是可以被用來替換CVD、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)和濺鍍技術的新製程。原子層沉積也是化學氣相沉積技術(CVD)的一種,其與CVD的差異在於ALD將傳統CVD的反應過程分成兩個部分的半反應(Half-reactions)。一為前驅物的化學吸附飽和程序(Chemisorption saturation process),另一為輪替的(Sequential)表面化學反應程序

前驅產物和材料表面發生連續的、自限性(Self-limiting)的反應,薄膜通過分別和不同的前驅產物進行反應緩慢沉積,將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面,形成單一層膜(1~2 Å)的沉積,因此ALD薄膜的成長是控制在單一原子層之厚度區間,形成階梯覆蓋與大面積均勻性之薄膜。

隨著原子層沉積具有高緻密性、高厚度均勻性、高階梯覆蓋率、低溫製程與原子級精密控制厚度等特點,除了可進行超薄高介電材料鍍膜外,亦可針對微小的電路結構提供孔洞填補能力,如具高深寬比的結構與相關領域中提供厚度均勻的鍍膜。原子層沉積是關鍵的半導體設備裝配方法,也可以成為一些奈米材料合成方法中的一環未來開發的領域,包括半導體積體電路、微機電、薄膜電晶體、OLED顯示器與元件封裝。



ALD T50 ALD PT50 ALD T100 ALD T200
適用基板尺寸
2” 2”
4”
8”
前驅物管路 3
3
5
5
工作溫度範圍
RT~400℃
電漿功率
NA
600
NA
NA
製程材料
氧化物、硫化物
氧化物、氮化物
氧化物、硫化物
氧化物、硫化物


  1. 特殊腔體流道設計提升前驅物傳輸效率。
  2. 厚度飄渺率小於2%。
  3. 可以成長大面積、均勻性、具化學劑量比的薄膜,且在高深寬比(High aspect ratios)的結構仍具有極佳的階梯覆蓋性(Step coverage)。
  4. 準確地控制膜厚,具有原子級的精準度。
  5. 可做低溫的製程。
  6. 沉積緻密且沒有針孔(Pinhole)。




  1. 高介電材料(Al2O3、HfO2、ZrO2、Ta2O5)
  2. 觸媒催化材料(Pt、Ir、Co、TiO2)
  3. 生醫塗層(TiN、ZrN、CrN)
  4. 電致發光(SrS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:Tb)
  5. 氣體阻隔膜(Al2O3)
  6. 透明導電膜(ZnO:Al、ITO)


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