原子層沉積(ALD)

原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)為化學氣相沉積法(CVD)的一種,藉由膜材料的氣體化合物經由化學反應生成固體物質沉積於基板的方式獲得薄膜。與傳統CVD不同點在於,ALD的反應過程,一次只通入一種前驅物,待表面吸附飽和或反應生成所需薄膜為止,過多的前驅物及反應產生之副產物會由惰性氣體Ar或N2沖洗 (purge),重複數百次以沉積出幾十奈米的反應化合物。

因其可隨基板立體形狀成長的特性,ALD技術所製備之薄膜具有高緻密性、高厚度均勻性、高階梯覆蓋率、低溫製程與原子級精密控制厚度等特點,可以精準控制薄膜厚度均勻。

除了可進行超薄高介電材料鍍膜外,亦可針對微小的電路結構提供孔洞填補能力,應用範圍包括半導體積體電路、微機電、薄膜電晶體、OLED顯示器與元件封裝等。


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原子層沉積系統

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